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ROHM SEMICONDUCTOR
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IGBT AEC-Q101 1.2KV 50A 175DEG C; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247N; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175蚓; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
25/08/13
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产品号
000138275
ECCN
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描述
IGBT AEC-Q101 1.2KV 50A 175DEG C; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247N; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175蚓; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
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---00251944K3
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B000038405860
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